UVtransfer 是一种用于 MicroLED 激光移除 (LLO)、激光诱导正向转移 (LIFT) 和修复/修整加工的激光系统。三合一系统专为研发和试验加工而设计。该系统建立在高精度花岗岩运动模块上,由直接紫外 248 纳米高能激光器驱动。该系统提供一体化解决方案,包括开箱即用和易于操作的专用流程。它配备了功能强大的操作软件,可进行快速设置。
3 合 1 系统为 MicroLED 显示屏制造提供相关激光工艺
掩膜成像系统可实现高光学分辨率,适用于小芯片尺寸
采用可靠的直接紫外准分子激光器
1 级激光器外壳符合人体工程学标准
与新型材料和尺寸兼容
易于使用且直观的软件
自动对准基底
自动改变磁场尺寸,从 8 x 1 mm2 到 16 x 2 mm2(可选)
花岗岩底座上的轴模块;基板/晶圆 x-y 平台,施子晶圆 x-y 平台;掩膜 x-y-φ 平台;工具控制软件;自动晶圆和基板对齐
产地:美国
外壳:集成激光、光学、掩膜成像、平台和视觉功能
尺寸(宽x长x高):约 1.365 x 4.05 x 2.05 m3
激光:Coherent紫外线 248 nm 激光系统
激光提升-关闭
材料:带 MicroLED 的蓝宝石 EPI 硅片(氮化镓)(可根据要求提供 DSP、PSS-BSP)
尺寸:4 至 6" 圆形晶片
处理系统:用真空吸盘固定,覆盖 4或 6" 晶圆
x-y 平台:覆盖整个晶片区域
x-y 平台精度:± 2.5 µm
x-y 平台重复性(双向):± 0.5 µm
x-y 平台速度:≤ 50 mm/s
晶圆装载:手动,预对准
微型 LED:尺寸小至 5 μm
晶圆上的光场尺寸:8 x 1 mm2
基片上的能量密度:高达 1200 mJ/cm2
材料:石英或蓝宝石晶片
尺寸:4 到 6" 圆形或方形晶片
处理系统:真空固定,覆盖 4 或 6" 晶圆的有效区域
x-y 平台:覆盖晶片的有效区域
x-y 平台精度:± 2.5 µm
x-y 平台重复性(双向):± 0.5 µm
x-y 平台速度:≤ 50 mm/s
晶圆装载:手动,预对准
微型 LED:尺寸小至 5 μm,街道宽度小至 5 μm
晶片上的光场尺寸:8 x 1 mm2;(可选 16 x 2 mm2)
基片上的能量密度:高达 1200 mJ/cm2(可选 300,16 x 2 mm2)
基底材料:技术玻璃、背板
尺寸:370 x 470 mm²(GEN 2 基板)
处理系统:真空吸盘
x-y 平台:覆盖整个基板区域
x-y 平台精度:± 2.5 µm
x-y 平台重复性(双向):± 0.5 µm
x-y 平台速度:≤ 50 mm/s
基板与临时载体之间的距离控制:可通过机器 SW 调节可变距离
激光防护等级(根据 EN60825-1:2015):激光防护等级 1
UVtransfer 3 合 1 MicroLED 处理、激光剥离 (LLO)、转印 (LIFT)、修复/修边