COHERENT发射器APA4301010002

当您需要满足高速数据通信的严格规范时，请使用我们的 850 nm VCSEL 阵列，可选择 10G、25G、50G PAM4 和 100G PAM4 VCSEL。每个 VCSEL 发射器都以多种横向模式和单一纵向模式工作，并发出低发散的圆形对称光束，可有效耦合到 50/125 和 62.5/125 μm 多模光纤中。提供单芯片、4 通道和 12 通道阵列。

850 nm 多模发射

光谱宽度低

阈值和工作电流低

可靠性高

高防潮性，符合 GR468 标准

低电寄生

数据传输速率从直流到 10 Gb/s

双顶触点配置，共阴极电极

可提供单芯片、4 通道和 12 通道阵列

符合 RoHS 规范

APA4301010302：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 芯片 包装：金属引线框架上的切割晶片

APA4301040302：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 阵列 包装：金属引线框架上的切割晶片

APA4301120302：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 阵列 包装：金属引线框架上的切割晶片

APA4301010102：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 芯片 包装：阵列握环

APA4301040102：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 包装：阵列握环

APA4301120102：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 包装：阵列握环

APA4301010202：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 阵列 包装：Gel-Pak

APA4301040202：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 阵列 包装：Gel-Pak

APA4301120202：数据速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 阵列 包装：Gel-Pak

运输包装选项：

切丁晶片，UV 胶带，金属引线框架

握环

凝胶包装

产地：美国

阈值电流 I_th：0.8 至 1.1 mA

斜率效率 η I = 4 mA：0.34 至 0.52 mW/mA

光输出功率 P_out I_op = 5 mA：1.4 至 2.2 mW

工作电压 U_op I_op = 5 mA：1.9 至 2.1 V

差分电阻 R_d I_op = 5 mA：45 至 75 Ω

发射波长 λ I_op = 5 mA，T = -10 至85 ℃：840 至 860 nm

光谱宽度，有效值 ∆λ I_op = 5mA, T = -10 至 85 ℃：0.4 nm

调制带宽 f_3dB I_op = 5mA：9 GHz

上升时间 t_r I_op = 5mA，ER = 5dB，20 至 80 %：30 至 35 ps

下降时间 t_f I_op = 5 mA，ER = 5 dB，20 至 80%：40 至 45 ps

电容 C I_op = 5 mA：0.2 至 0.3 pF

光束发散 Θ I_op = 5 mA，全宽 1/e²：24 至 30 °

相对强度噪声 RIN(OMA) I_op = 5 mA，ER = 5 dB，7.7 GHz 带宽：-128 dB/Hz

1x4 和 1x12 阵列芯片的阈值一致性 ∆I_th 范围：0.15 mA

斜率效率均匀性 ∆η：0.05 mW/mA

光输出功率：8 mW

峰值正向电流（Max 10 秒）：12 mA

VCSEL 反向电压：5 V

工作温度：-10 至 +85 ℃

存储温度：-40 至 +100 ℃

安装温度（Max 10 秒）：260 ℃

芯片外部尺寸

Min；典型值；Max

模具长度：210；230；250 µm

模具长度：960；980；1000 µm

模具长度：2960；2980；3000 µm

模具宽度：260；280；300 µm

模具高度：135；150；165 µm

单通道和并行光纤通信链路，10 Gb/s可达 300 米、智能电缆、HDMI